IRFZ10

Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 43W
Uds,max 50V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 7.2A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: КП739Б,