Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 500V
Udg,max 500V
Ugs,max 20V
Id,max 8A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 50/43
Ciss 1500
Rds,ohm 0.850
Caps TO-220
Производитель STE
Применение ENHANCEMENT MODE POWER MOS
Аналоги: 2SK1503-01, BUK457-500B, IXTP7N50, IXTP7N50A, КП840,