Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 200mW
Ucb,max 20V
Uce,max 15V
Ueb,max 3V
Ic,max 25mA
Tj,max 150єC
Ft,max 2.5GHz
Cctip,pF 0.8
Hfe 40MIN
Производитель STE
Caps TO51
Применение Low Power, Switching
Аналоги:
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 200mW
Ucb,max 20V
Uce,max 15V
Ueb,max 3V
Ic,max 25mA
Tj,max 150єC
Ft,max 2.5GHz
Cctip,pF 0.8
Hfe 40MIN
Производитель STE
Caps TO51
Применение Low Power, Switching
Аналоги: