SMD транзистор 2SA1484 код IRD, IRE
Transistor 2SA1484 SMD code IRD, IRE
Кремниевый PNP низкочастотный транзистор общего применения
Особенности:
- Большой коэффициент усиления
- Маркировка: IRD, IRE, соответствующая значениям hFE.
- Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод | Назначение |
1 | База |
2 | Эмиттер |
3 | Коллектор |
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ |
Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение |
Единицы |
Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | -90 | В |
Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | -90 | В |
Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | -5 | В |
lc | Ток коллектора | — | — | — | -100 | мА |
Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | Т = 25°С | — | — | 150 | мВт |
V(br)cbo | Напряжение пробоя К-Б | lc = -10 мкА, le = 0 | -90 | — | — | В |
V(br)ceo | Напряжение пробоя К-Э | lc = -1 мА, Rbe = 00 | -90 | — | — | В |
V(br)ebo | Напряжение пробоя Э-Б | le = -10 мкА , lc = 0 | -5 | — | — | В |
Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb = -70 В, le = 0 | — | — | -0,1 | мкА |
hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = -12 В, lc = -2 мА | 250 | — | 800 | — |
Vce sat | Напряжение насыщения К-Э | lc = -10 мА, lb = -1 мА | — | — | -0,15 | В |
Vbe sat | Напряжение насыщения Б-Э | lc = -10 мА, lb = -1 мА | — | — | -1 | В |
Значение параметра hFE для кодов данного элемента.
Код |
IRD |
IRЕ |
hFE, mA | 250 — 500 | 400 — 800 |