SMD транзистор 2SA1566 код JID, JIE
SMD транзистор 2SA1566 код JID, JIE
Transistor 2SA1566 SMD code JID, JIE
Кремниевый PNP низкочастотный транзистор общего применения
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя Vcbo
- Маркировка: JID, JIE, соответствующая значениям hFE.
- Корпус SC-59 (EIAJ)
| Вывод | Назначение |
| 1 | База |
| 2 | Эмиттер |
| 3 | Коллектор |
Предельно допустимые и основные электрические параметры
| Символ | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | -120 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | -120 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | -5 | В |
| lc | Ток коллектора | — | — | — | -100 | мА |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | Т = 25°С | — | — | 150 | мВт |
| V(br)cbo | Напряжение пробоя К-Б | lc = -10 мкА, le = 0 | -120 | — | — | В |
| V(br)ceo | Напряжение пробоя К-Э | lc = -1 мА, Rbe = 09 | -120 | — | — | В |
| V(br)ebo | Напряжение пробоя Э-Б | le = -10 мкА , 1с = 0 | -5 | — | — | В |
| Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb = -70 В, le = 0 | — | — | -0,1 | мкА |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = -12 В, lc = -2 мА | 250 | — | 800 | — |
| Vce sat | Напряжение насыщения К-Э | !с = -10 мА, lb = -1 мА | — | — | -0,15 | В |
| Vbe sat | Напряжение насыщения Б-Э | lc = —10 мА, lb = -1 мА | — | — | -1 | В |
Значение параметра hFE для кодов данного элемента.
|
Код |
JID |
JIЕ |
| hFE, mA | 250…500 | 400…800 |
<<< SMD Коды
