SMD транзистор 2SB1026 код DL, DM
Transistor 2SB1026 SMD code DL, DM
Кремниевый PNP низкочастотный транзистор общего применения
Особенности:
— Комплементарная пара с 2SD1419 (произ. RENESAS).
— Маркировка: DL, DM соответствующая значениям hFE.
— Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод | Назначение |
1 | База |
2 | Коллектор |
3 | Эмиттер |
Корпус | Коллектор |
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | -120 | В |
Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | -100 | В |
Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | -5 | В |
lc | Ток коллектора | — | — | — | -1 | А |
Icp | Ток коллектора импульсный | — | — | — | -2 | А |
Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) | T = 25°С | — | — | 1 | Вт |
Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb = -100 В, le = 0 | — | — | -0,01 | мА |
hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = -5 В, lc = -150 мА | 60 | — | 320 | — |
Vce sat | Напряжение насыщения К-Э | lc = -0,5 A, lb = -50 мА | — | — | -1 | В |
Vbe | Напряжение Б-Э | Vce = -5 В, lc = -150 мА | — | — | -0,9 | В |
fi | Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | Vce = -5 В, lc = -150 мА | — | 140 | — | МГц |
Cob | Выходная емкость | Vcb = -10 В, le = 0, f = 1 МГц | — | 20 | — | пФ |
Значение параметра hFE для кодов данного элемента.
Код |
DL |
DМ |
hFE | 60 — 120 | 100 — 200 |