SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2G
BC850CW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=420..800, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2G
BC850CT
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=480, >100MHz
SOT-416
Производитель
Philips GmbH
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2G
BC850C
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=420..800, >100MHz
SOT-23
Производитель
Continental Device India Limited…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2FZ
BC850B
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 330mW, B=200..450, >300MHz
SOT-23
Производитель
Zetex plc. www.zetex.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2FW
BC850BW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=200..450, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips China;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2FW
BC850B
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=200..450, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips China;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2Ft
BC850BW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=200..450, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips, Malaysia (semiconductor…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2FS
2SB1583-S
Silicon pnp transistor
General Purpose Applications, 185V, 50mA, 200MHz, B=170..340
SOT-416
Производитель
Panasonic (Matsushita) Electronics Corp.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2Fs
BC850BT
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=250, >100MHz
SOT-416
Производитель
Infineon Technologies AG www.infineon.com…