Просмотр архива категории
Эл.компоненты
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1TQ
2SC4773-Q
Silicon npn transistor
Radio Frequency applications, Switching, 6V, 50mA, B=120..270,800MHz
SOT-323
Производитель
Rohm Co., Ltd. www.rohm.co.jp
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1T8
CMSZ5267B Zener diode
75V±5%, 1.7mA, Zzt=270?, 275mW
SOT-323
Производитель
Central Semiconductor Corp. www.centralsemi.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1T1
SST5101
Silicon pnp transistor
General Purpose Applications, 60V, 200mA, >125MHz
SOT-23
Производитель
Rohm Co., Ltd. www.rohm.co.jp
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1T1
MMST5101
Silicon pnp transistor
Audio Frequency, 60V, 200mA, B=200..400, >125MHz
SOT-23
Производитель
Rohm Co., Ltd. www.rohm.co.jp
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
-1T
PDTD123TT
Silicon npn "digital" transistor
Switching, 50V, 500mA, 250mW, R1=2.2k
SOT-23
Производитель
NXP Hong Kong;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
-1T
PDTC123TU
Silicon npn "digital" transistor
Switching, 50V, 100mA, 200mW, R1=2.2k
SOT-323
Производитель
NXP Hong Kong;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1T
R3131N44HA
Voltage Detector integrated circuit
4.4V±1.5%, +Reset Push-Pull Output, 400ms
SOT-23
Производитель
Ricoh Co., Ltd www.ricoh.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1T
2SC3933
Silicon npn transistor
RF applications (>250 MHz)-Amplifier/Mixer, 30 V, 20mA, 150mW, B=40..200,1.1 GHz
SOT-323
Производитель
Panasonic (Matsushita)…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1T
2SC3077
Silicon npn transistor
RF applications (>250 MHz)-Amplifier/Mixer, 30 V, 20mA, 150mW, B=200..400,1.1 GHz
SC-59
Производитель
Panasonic (Matsushita)…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1SR
2SC4809-R
Silicon npn transistor
High Frequency Amplifier/Oscillator/Mixer, 15V, 50mA, 125mW, B=200..400,1.9GHz
SOT-416
Производитель
Panasonic (Matsushita)…