Просмотр архива категории
Эл.компоненты
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Ks
BC848BW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 100mA, 250mW, B=200..450,250MHz
SOT-323
Производитель
Infineon Technologies AG www.infineon.com…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Ks
BC848BT
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 100mA, 200mW, B=250, >100MHz
SOT-416
Производитель
Infineon Technologies AG www.infineon.com…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Ks
BC848B
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 100mA, 330mW, B=200..450,250MHz
SOT-23
Производитель
Siemens AG www.siemens.de
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1KR
BC848BR
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 100mA, 310mW, B=330, >300MHz
SOT-23
Производитель
Philips GmbH
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1KQ
2SK316-Q
n-channel junction Field Effect Transistor (n-FET)
V-cam, 10V, 50mA, 200mW, ldss=14..24mA, Up<3V
SOT-23
Производитель
Panasonic (Matsushita)…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1KP
2SK316-P
n-channel junction Field Effect Transistor (n-FET)
V-cam, 10V, 50mA, 200mW, ldss=5..16mA, Up<3V
SOT-23
Производитель
Panasonic (Matsushita) Electronics…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Kp
BC8488
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 100mA, 250mW, B=200..450, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1KN5L
81N19L-P-AE3-5
Voltage Detector integrated circuit
1.9V±2%, -Reset Open Drain Output, lead free
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1KN5G
81N19G-P-AE3-5
Voltage Detector integrated circuit
1.9V±2%, -Reset Open Drain Output, halogen free
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1KN5
81N19-P-AE3-5
Voltage Detector integrated circuit
1.9V±2%, -Reset Open Drain Output
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd. www.unisonic.com.tw…