Просмотр архива категории
Эл.компоненты
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1H8
CMSZ5257B Zener diode
33V±5%, 3.8mA, Zzt=58?, 275mW
SOT-323
Производитель
Central Semiconductor Corp. www.centralsemi.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1H5
TC591602ECB
Linear voltage regulator integrated circuit
Low drop voltage, -1.6V±2%, 200mA
SOT-23
Производитель
Microchip Technology Inc. www.microchip.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1H0
TC55RP162ECB
Linear voltage regulator integrated circuit
Low drop voltage, 1.6V±2%, 250mA
SOT-23
Производитель
Microchip Technology Inc. www.microchip.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
-1H
PMSTA05
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 60V, 500mA, 200mW, B>50, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1H
TMPTA05
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 60V, 500mA, 350mW, B>100, >100MHz
SOT-23
Производитель
Allegro MicroSystems Inc.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1H
SMBTA05
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 60V, 500mA, 350mW, B>100, >100MHz
SOT-23
Производитель
Infineon Technologies AG www.infineon.com…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1H
R3131N31EA
Voltage Detector integrated circuit
3.1V±1.5%, +Reset Push-Pull Output, 240ms
SOT-23
Производитель
Ricoh Co., Ltd www.ricoh.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1H
MMBTA05
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 60V, 500mA, 350mW, B>100, >100MHz
SOT-23
Производитель
ON Semiconductor onsemi.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1H
KST05
Silicon npn transistor
Audio Frequency-Driver, 60V, 500mA, 350mW, B>50, >100MHz
SOT-23
Производитель
Samsung Electronics www.korea.samsungsemi.com…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1H
FMMTA05
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 60V, 500mA, 350mW, B>100, >100MHz
SOT-23
Производитель
Zetex plc. www.zetex.com