Просмотр архива категории
Эл.компоненты
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1GT
SOAO6
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 500mA, 350mW, B>100, >100MHz
SOT-23
Производитель
SGS-Thomson Microelectronics www.st.com…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Gt
BC847CW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=420..800, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips, Malaysia (semiconductor…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Gt
BC847C
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=420..800, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips, Malaysia (semiconductor…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Gs
BC847CW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=420..800,250MHz
SOT-323
Производитель
Infineon Technologies AG www.infineon.com…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Gs
BC847CT
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=420..800, >100MHz
SOT-416
Производитель
Infineon Technologies AG…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Gs
BC847C
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 330mW, B=420..800,250MHz
SOT-23
Производитель
Siemens AG www.siemens.de
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Gp
BC847CW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=420..800, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Gp
BC847C
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=420..800, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1GN5L
81N16L-P-AE3-5
Voltage Detector integrated circuit
1.6V±2%, -Reset Open Drain Output, lead free
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1GN5G
81N16G-P-AE3-5
Voltage Detector integrated circuit
1.6V±2%, -Reset Open Drain Output, halogen free
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd.…