Просмотр архива категории
Эл.компоненты
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1C
IRLML6302
p-channel junction Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (p-MOSFET)
Vertical Metal Oxide Semiconductor, LogL, 20V, 0.78A, <0.60
SOT-23…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1C
FMMTA20
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 40V, 100mA, 330mW, B=40..400, >125MHz
SOT-23
Производитель
Zetex plc. www.zetex.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1C
BC846C
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 100mA, 300mW, B=110..220, >100MHz
SOT-23
Производитель
Motorola Inc. www.motorola.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1BZ
FMMT2222
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 60V, 600mA, 330mW, B=100..300, >250MHz
SOT-23
Производитель
Zetex plc. www.zetex.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1BW
BC846BW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 100mA, 200mW, B=200..450, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips China;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1BW
BC846B
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 100mA, 250mW, B=200..450, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips China;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Bt
BC846BW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 100mA, 200mW, B=200..450, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips, Malaysia (semiconductor…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Bt
BC846B
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 100mA, 250mW, B=200..450, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips, Malaysia (semiconductor…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Bs
BC846BW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 100mA, 250mW, B=200..450,250MHz
SOT-323
Производитель
Infineon Technologies AG www.infineon.com…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Bs
BC846BT
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 100mA, 330mW, B=200..450,250MHz
SOT-416
Производитель
Infineon Technologies AG www.infineon.com…