Просмотр архива категории
Эл.компоненты
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Bs
BC846B
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 100mA, 330mW, B=200..450,250MHz
SOT-23
Производитель
Siemens AG www.siemens.de
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Bp
BC846BW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 100mA, 200mW, B=200..450, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Bp
BC846B
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 100mA, 250mW, B=200..450, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1BN5L
81N11L-P-AE3-5
Voltage Detector integrated circuit
1.1V±2%, -Reset Open Drain Output, lead free
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1BN5G
81N11G-P-AE3-5
Voltage Detector integrated circuit
1.1V±2%, -Reset Open Drain Output, halogen free
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1BN5
81N11-P-AE3-5
Voltage Detector integrated circuit
1.1V±2%, -Reset Open Drain Output
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd. www.unisonic.com.tw…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1BN3L
81N11L-P-AE3-3
Voltage Detector integrated circuit
1.1V±2%, -Reset Open Drain Output, lead free
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1BN3G
81N11G-P-AE3-3
Voltage Detector integrated circuit
1.1V±2%, -Reset Open Drain Output, halogen free
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1BN3
81N11-P-AE3-3
Voltage Detector integrated circuit
1.1V±2%, -Reset Open Drain Output
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd. www.unisonic.com.tw…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1BN2L
81N11L-P-AE3-2
Voltage Detector integrated circuit
1.1V±2%, -Reset Open Drain Output, lead free
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd.…