Просмотр архива категории
Эл.компоненты
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1AQ
2SB779-Q
Silicon pnp transistor
Audio Frequency-Driver, 25V, 500mA, 200mW, B=90..155,150MHz
SC-59
Производитель
Panasonic (Matsushita) Electronics Corp.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1AQ
2SB1584-Q
Silicon pnp transistor
Low collector-emitter saturation voltage, 25V, 500mA, 150MHz, B=85..170
SOT-416
Производитель
Panasonic (Matsushita) Electronics…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Ap
BC846AW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 100mA, 200mW, B=110..220, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Ap
BC846A
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 100mA, 250mW, B=110..220, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1AO
2SC3339-0
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 60V, 150mA, 150mW, B=70..140, >80MHz
SOT-23
Производитель
Toshiba Corporation www.toshiba.com…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1AN5L
81N10L-P-AE3-5
Voltage Detector integrated circuit
1.0V±2%, -Reset Open Drain Output, lead free
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1AN5G
81N10G-P-AE3-5
Voltage Detector integrated circuit
1.0V±2%, -Reset Open Drain Output, halogen free
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1AN5
81N10-P-AE3-5
Voltage Detector integrated circuit
1.0V±2%, -Reset Open Drain Output
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd. www.unisonic.com.tw…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1AN3L
81N10L-P-AE3-3
Voltage Detector integrated circuit
1.0V±2%, -Reset Open Drain Output, lead free
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1AN3G
81N10G-P-AE3-3
Voltage Detector integrated circuit
1.0V±2%, -Reset Open Drain Output, halogen free
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd.…