Эл.компоненты

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1B R3131N21EC Voltage Detector integrated circuit 2.1V±1.5%, +Reset Open Drain Output, 240ms SOT-23 Производитель Ricoh Co., Ltd www.ricoh.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1B MMBT2222 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 60V, 600mA, 330mW, B=120..360, >300MHz SOT-23 Производитель Motorola Inc. www.motorola.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1B KST2222 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 60V, 600mA, 350mW, B>75, >250MHz SOT-23 Производитель Samsung Electronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1B IRLML2803 n-channel junction Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (n-MOSFET) Vertical Metal Oxide Semiconductor, LogL, 30V.1.2A, <0.250 SOT-23…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1B BC846BW Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 100mA, 200mW, B=200..450, >100MHz SOT-323 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1B BC846BT Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 100mA, 150mW, B=200..450, >100MHz SOT-416 Производитель Philips GmbH

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1B BC846B9 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 100mA, 250mW, B=200..450, >100MHz SOT-23 Производитель Diodes Inc. www.diodes.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1B BC846B Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 100mA, 250mW, B=200..450, >100MHz SOT-23 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1B 2N2222 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 60V, 600mA, 330mW, B=100..300, >250MHz SOT-23 Производитель National Semiconductor Corp.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1AY 2SC3339-Y Silicon npn transistor General Purpose Applications, 60V, 150mA, 150mW, B=120..240, >80MHz SOT-23 Производитель Toshiba Corporation www.toshiba.com…