SMD

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1F CM9NB847B Silicon npn transistor Audio Frequency, Switching, 50V, 100mA, 200mW, B=200..450,100MHz SOT-23 Производитель Canaan Microelectronics Corp. Ltd.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1F CH847BPT-R Silicon npn transistor Audio Frequency, Switching, 45V, 100mA, B=200..450,200MHz SOT-23 Производитель Chenmko Enterprise Co., Ltd. www.chenmko.com/…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1F BC847BW Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=200..450, >100MHz SOT-323 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1F BC847BT Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 150mW, B=200..450, >100MHz SOT-416 Производитель Philips GmbH

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1F BC847BF Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=200..450,250MHz SOT-490 Производитель Philips GmbH

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1F BC847B Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=200..450, >100MHz SOT-23 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1EW BC847AW Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=110..220, >100MHz SOT-323 Производитель Philips China;

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1EW BC847A Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=110..220, >100MHz SOT-23 Производитель Philips China;

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Et BC847AW Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=110..220, >100MHz SOT-323 Производитель Philips, Malaysia (semiconductor…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Et BC847A Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=110..220, >100MHz SOT-23 Производитель Philips, Malaysia (semiconductor…