SMD

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Es BC847AW Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=110..220,250MHz SOT-323 Производитель Infineon Technologies AG www.infineon.com…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Es BC847AT Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 330mW, B=110..220,250MHz SOT-416 Производитель Infineon Technologies AG www.infineon.com…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Es BC847A Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 330mW, B=110..220,250MHz SOT-23 Производитель Siemens AG www.siemens.de

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1EQ 2SC4084-Q Silicon npn transistor RF applications (100...250MHz)/RF applications (>250 MHz), 30V, 50mA, 150mW, >2GHz, B=120..270 SOT-323 Производитель Rohm…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1EP 2SC4084-P Silicon npn transistor RF applications (100...250MHz)/RF applications (>250 MHz), 30V, 50mA, 150mW, >2GHz, B=82..180 SOT-323 Производитель Rohm…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Ep BC847AW Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=110..220, >100MHz SOT-323 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Ep BC847A Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=110..220, >100MHz SOT-23 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1EN5L 81N14L-P-AE3-5 Voltage Detector integrated circuit 1.4V±2%, -Reset Open Drain Output, lead free SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1EN5G 81N14G-P-AE3-5 Voltage Detector integrated circuit 1.4V±2%, -Reset Open Drain Output, halogen free SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1EN5 81N14-P-AE3-5 Voltage Detector integrated circuit 1.4V±2%, -Reset Open Drain Output SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd. www.unisonic.com.tw…