Просмотр архива категории
SMD
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1E
BC847AW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=110..220, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1E
BC847AT
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 150mW, B=110..220, >100MHz
SOT-416
Производитель
Philips GmbH
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1E
BC847AF
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=110..220,250MHz
SOT-490
Производитель
Philips GmbH
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1E
BC847A
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=110..220, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1DW
BC846W
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 100mA, 200mW, B=110..450, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips China;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1DW
BC846
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 100mA, 250mW, B=110..450, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips China;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1DT
2SD1328-T
Silicon npn transistor
Audio Frequency-Amplifier, 25V, 500mA, 200mW, 200MHz, B=400..800
SC-59
Производитель
Panasonic (Matsushita) Electronics Corp.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Dt
BC846W
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 100mA, 200mW, B=110..450, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips, Malaysia (semiconductor…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Dt
BC846
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 100mA, 250mW, B=110..450, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips, Malaysia (semiconductor…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1DS
2SD1328-S
Silicon npn transistor
Audio Frequency-Amplifier, 25V, 500mA, 200mW, 200MHz, B=300..500
SC-59
Производитель
Panasonic (Matsushita) Electronics Corp.…