SMD

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1DR MSD1328-R Silicon npn transistor General Purpose Applications, 25V, 500mA, 200mW, B=200..350 SOT-323 Производитель Motorola Inc. www.motorola.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1DR MSD1328 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 25V, 500mA, 200mW, B=2200..350, <300ps SOT-23 Производитель Weitron Technology Co., Ltd…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1DR 2SD1328-R Silicon npn transistor Audio Frequency-Amplifier, 25V, 500mA, 200mW, 200MHz, B=200..350 SC-59 Производитель Panasonic (Matsushita) Electronics Corp.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1DQ BTC4061N3-Q Silicon npn transistor General Purpose Applications, High Voltage, 300V, 500mA, 225mW, B=230..270, >50MHz SOT-23 Производитель Cystech Electronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1DQ 2SC4083-Q Silicon npn transistor RF applications (100...250MHz)/RF applications (>250 MHz), 20V, 50mA, 200mW, B=120..270,3.2GHz SOT-323 Производитель Rohm Co.,…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1DP BTC4061N3-P Silicon npn transistor General Purpose Applications, High Voltage, 300V, 500mA, 225mW, B=82..180, >50MHz SOT-23 Производитель Cystech Electronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1DP 2SC4083-P Silicon npn transistor RF applications (100...250MHz)/RF applications (>250 MHz), 20V, 50mA, 200mW, B=82..180,3.2GHz SOT-323 Производитель Rohm Co.,…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Dp BC846W Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 100mA, 200mW, B=110..450, >100MHz SOT-323 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Dp BC846 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 100mA, 250mW, B=110..450, >100MHz SOT-23 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1DN5L 81N13L-P-AE3-5 Voltage Detector integrated circuit 1.3V±2%, -Reset Open Drain Output, lead free SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd.…