Просмотр архива категории
Транзисторы
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 410mW
Ucb,max 70V
Uce,max 70V
Ueb,max 30V
Ic,max 50mA
Tj,max 165єC
Ft,max 15MHz
Cctip,pF -
Hfe 10/35
Производитель STE
Caps TO5
Применение Low Power, Switching,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 350mW
Ucb,max 40V
Uce,max 40V
Ueb,max 20V
Ic,max 50mA
Tj,max 165єC
Ft,max 15MHz
Cctip,pF -
Hfe 40/100
Производитель STE
Caps TO18
Применение Low Power, Switching,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 410mW
Ucb,max 50V
Uce,max 50V
Ueb,max 12V
Ic,max 250mA
Tj,max 150єC
Ft,max 450MHz
Cctip,pF 150
Hfe 12MIN
Производитель PHILIPS
Caps TO5
Применение Low Power,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 410mW
Ucb,max 32V
Uce,max 24V
Ueb,max 12V
Ic,max 250mA
Tj,max 150єC
Ft,max 450KHz
Cctip,pF 150
Hfe 10MIN
Производитель PHILIPS
Caps TO39
Применение Low Power,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 150mW
Ucb,max 45V
Uce,max 45V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 125MHz
Cctip,pF 4.5
Hfe 120MIN
Производитель SIEMENS
Caps SOT23
Применение Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 1W
Ucb,max 100V
Uce,max 80V
Ueb,max 5V
Ic,max 1.5A
Tj,max 150єC
Ft,max 65MHz
Cctip,pF -
Hfe 40/160
Производитель PHILIPS
Caps SP0
Применение Medium Power, High Voltage…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 1W
Ucb,max 100V
Uce,max 80V
Ueb,max 5V
Ic,max 1.5A
Tj,max 150єC
Ft,max 25MHz
Cctip,pF -
Hfe 40/160
Производитель PHILIPS
Caps SP0
Применение Medium Power, High Voltage…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 350mW
Ucb,max 32V
Uce,max 32V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 175єC
Ft,max 300MHz
Cctip,pF -
Hfe 200MIN
Производитель PHILIPS
Caps SOT23
Применение Low Power, Low…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 200mW
Ucb,max 30V
Uce,max 30V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 300MHz
Cctip,pF 6
Hfe 180MIN
Производитель PHILIPS
Caps SOT23
Применение Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 200mW
Ucb,max 50V
Uce,max 45V
Ueb,max 6V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 300MHz
Cctip,pF 6
Hfe 290MIN
Производитель PHILIPS
Caps SOT23
Применение Low Power, General…