Просмотр архива категории
Транзисторы
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 500mW
Ucb,max 50V
Uce,max 45V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 150MHz
Cctip,pF 4.5
Hfe 420MIN
Производитель SIEMENS
Caps TO92
Применение Low Power, Low…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 500mW
Ucb,max 50V
Uce,max 45V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 150MHz
Cctip,pF 4.5
Hfe 240MIN
Производитель TELEFUNKEN
Caps TO92
Применение Low Power, Low…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 500mW
Ucb,max 50V
Uce,max 45V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 150MHz
Cctip,pF 4.5
Hfe 125MIN
Производитель TELEFUNKEN
Caps TO92
Применение Low Power, Low…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 500mW
Ucb,max 30V
Uce,max 25V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 75MHz
Cctip,pF 7
Hfe 420MIN
Производитель SIEMENS
Caps TO92
Применение Low Power, Low Noise,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 500mW
Ucb,max 30V
Uce,max 25V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 75MHz
Cctip,pF 7
Hfe 240MIN
Производитель PHILIPS
Caps TO226
Применение Medium Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 500mW
Ucb,max 30V
Uce,max 25V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 75MHz
Cctip,pF 7
Hfe 125MIN
Производитель PHILIPS
Caps TO226
Применение Medium Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 500mW
Ucb,max 30V
Uce,max 25V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 75MHz
Cctip,pF 7
Hfe 420MIN
Производитель PHILIPS
Caps TO226
Применение Low Power, Low Noise,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 500mW
Ucb,max 30V
Uce,max 25V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 75MHz
Cctip,pF 7
Hfe 125MIN
Производитель PHILIPS
Caps TO226
Применение Medium Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 500mW
Ucb,max 50V
Uce,max 45V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 75MHz
Cctip,pF 7
Hfe 450MIN
Производитель ZETEX
Caps TO92
Применение Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 500mW
Ucb,max 50V
Uce,max 45V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 75MHz
Cctip,pF 9
Hfe 200MIN
Производитель SIEMENS
Caps TO92
Применение Low Power, General…