Транзисторы

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 250W Ucb,max 140V Uce,max 120V Ueb,max 6V Ic,max 100A Tj,max 200єC Ft,max 30MHz Cctip,pF 600 Hfe 30/120 Производитель MOTOROLA Caps TO61 Применение RF, Power Аналоги:…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 250W Ucb,max 120V Uce,max 100V Ueb,max 6V Ic,max 100A Tj,max 200єC Ft,max 30MHz Cctip,pF 600 Hfe 30/120 Производитель MOTOROLA Caps TO61 Применение RF, Power Аналоги:…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 115W Ucb,max 55V Uce,max 55V Ueb,max 5V Ic,max 15A Tj,max 200єC Ft,max 800KHz Cctip,pF - Hfe 20/150 Производитель RCA Caps TO3 Применение Power, General Purpose…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 40W Ucb,max 60V Uce,max 35V Ueb,max 4V Ic,max 2A Tj,max 175єC Ft,max - Cctip,pF - Hfe 20MIN Производитель SEMELAB Caps TO128 Применение RF, Medium Power, High Current…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 20W Ucb,max 60V Uce,max 35V Ueb,max 4V Ic,max 1A Tj,max 175єC Ft,max - Cctip,pF - Hfe 30MIN Производитель SEMELAB Caps TO128 Применение RF, Medium Power, High Current…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 10W Ucb,max 60V Uce,max 35V Ueb,max 4V Ic,max 500mA Tj,max 175єC Ft,max - Cctip,pF - Hfe 30MIN Производитель SEMELAB Caps TO128 Применение RF, Medium Power, High…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 83W Ucb,max 70V Uce,max 35V Ueb,max 3V Ic,max 30A Tj,max 200єC Ft,max 100MHz Cctip,pF 250 Hfe 20MIN Производитель RCA Caps MT67 Применение RF, Power Аналоги: КТ912А,…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 100W Ucb,max 80V Uce,max 80V Ueb,max 5V Ic,max 8A Tj,max 200єC Ft,max 4MHz Cctip,pF 300 Hfe 750MIN Производитель MOTOROLA Caps TO3 Применение Darlington, Power…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 100W Ucb,max 60V Uce,max 60V Ueb,max 5V Ic,max 8A Tj,max 200єC Ft,max 4MHz Cctip,pF 300 Hfe 750MIN Производитель MOTOROLA Caps TO3 Применение Darlington, Power…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 114W Ucb,max 110V Uce,max 100V Ueb,max 7V Ic,max 20A Tj,max 200єC Ft,max 30MHz Cctip,pF - Hfe 20/100 Производитель KELTRON Caps TO61 Применение High Power, High…