Транзисторы

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 100W Ucb,max 140V Uce,max 140V Ueb,max 6V Ic,max 10A Tj,max 150єC Ft,max 20MHz Cctip,pF 400 Hfe 80T Производитель MATSUSHITA Caps TO218 Применение High Power, High…

Наименование производителя: 2N940 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер…

Ucesat,V 1,2 h21e >15 Icmax,A 30 Pmax,W 75 ft,MHz 20 Uceo,V 100 Тип корпуса КТ-57 Транзистор n-p-n Аналоги: КТ874А,

Silicon PNP + Darlington Category: Transistor, Darlington Transistor MHz: <1 MHz Amps: 4A Volts: 80V Analog: 2Т708Б,

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 2W Ucb,max 225V Uce,max 220V Ueb,max 6V Ic,max 1A Tj,max 150єC Ft,max - Cctip,pF - Hfe 10/50 Производитель NSC Caps TO226 Применение Power, TV Deflection Аналоги:…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 150mW Ucb,max 20V Uce,max 15V Ueb,max 3V Ic,max 10mA Tj,max 125єC Ft,max 6GHz Cctip,pF 0.8 Hfe 35MIN Производитель SIEMENS Caps TO128 Применение UHF, Low Power…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 175W Ucb,max 650V Uce,max 300V Ueb,max 9V Ic,max 15A Tj,max 200єC Ft,max 6MHz Cctip,pF - Hfe 6/30 Производитель MOTOROLA Caps TO3 Применение RF, Power, High Voltage…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 100W Ucb,max 850V Uce,max 400V Ueb,max 9V Ic,max 5A Tj,max 200єC Ft,max 6MHz Cctip,pF - Hfe 7/35 Производитель MOTOROLA Caps TO3 Применение Power, High Voltage,…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 100W Ucb,max 650V Uce,max 300V Ueb,max 6V Ic,max 5A Tj,max 200єC Ft,max 6MHz Cctip,pF 200 Hfe 12/60 Производитель RCA Caps TO3 Применение Power, High Voltage, General…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 625mW Ucb,max 350V Uce,max 350V Ueb,max 5V Ic,max 500mA Tj,max 150єC Ft,max 40MHz Cctip,pF 6 Hfe 20/100 Производитель MOTOROLA Caps TO92 Применение RF, Medium Power,…