Просмотр архива категории
Транзисторы
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 625mW
Ucb,max 300V
Uce,max 300V
Ueb,max 5V
Ic,max 500mA
Tj,max 150єC
Ft,max 40MHz
Cctip,pF 6
Hfe 40/200
Производитель MOTOROLA
Caps TO92
Применение RF, Medium Power,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 625mW
Ucb,max 250V
Uce,max 250V
Ueb,max 5V
Ic,max 500mA
Tj,max 150єC
Ft,max 40MHz
Cctip,pF 6
Hfe 45/220
Производитель MOTOROLA
Caps TO92
Применение RF, Medium Power,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 625mW
Ucb,max 350V
Uce,max 350V
Ueb,max 6V
Ic,max 500mA
Tj,max 150єC
Ft,max 40MHz
Cctip,pF 6
Hfe 20/100
Производитель MOTOROLA
Caps TO92
Применение RF, Medium Power,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 625mW
Ucb,max 300V
Uce,max 300V
Ueb,max 6V
Ic,max 500mA
Tj,max 150єC
Ft,max 40MHz
Cctip,pF 6
Hfe 40/200
Производитель MOTOROLA
Caps TO92
Применение RF, Medium Power,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 625mW
Ucb,max 250V
Uce,max 250V
Ueb,max 6V
Ic,max 500mA
Tj,max 150єC
Ft,max 40MHz
Cctip,pF 6
Hfe 45/220
Производитель MOTOROLA
Caps TO92
Применение RF, Medium Power,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 625mW
Ucb,max 60V
Uce,max 50V
Ueb,max 6V
Ic,max 200mA
Tj,max 150єC
Ft,max 100MHz
Cctip,pF 3
Hfe 200MIN
Производитель MOTOROLA
Caps TO92
Применение Low Power, Low…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 40W
Ucb,max 80V
Uce,max 80V
Ueb,max 5V
Ic,max 10A
Tj,max 150єC
Ft,max 20MHz
Cctip,pF 200
Hfe 1000T
Производитель RCA
Caps TO3
Применение RF, Power, Darlington…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 220W
Ucb,max 60V
Uce,max 35V
Ueb,max 4V
Ic,max 10A
Tj,max 175єC
Ft,max -
Cctip,pF -
Hfe 35MIN
Производитель MOTOROLA
Caps X92
Применение RF, Power
Аналоги: KT879A,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 175W
Ucb,max 50V
Uce,max 33V
Ueb,max 4V
Ic,max 10A
Tj,max 175єC
Ft,max -
Cctip,pF -
Hfe 30MIN
Производитель MOTOROLA
Caps TO129
Применение RF, Power
Аналоги: KT879A,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 110W
Ucb,max 60V
Uce,max 22V
Ueb,max 4V
Ic,max 6A
Tj,max 175єC
Ft,max -
Cctip,pF -
Hfe 35MIN
Производитель MOTOROLA
Caps TO129
Применение RF, Power
Аналоги: BDX50,…