Транзисторы

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 75W Uds,max 500V Udg,max 500V Ugs,max 20V Id,max 3A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 45/110 Ciss 460 Rds,ohm 3.000 Caps TO-220 Производитель STE Применение ENHANCEMENT…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 36W Uds,max 350V Udg,max Ugs,max Id,max 2A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 27/49nS Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: КП731Б,

MOS FET Channel N 240V, 0,15A, 1W, <20Ohm, 14/40ns Аналог: КП503,

MOS FET Channel N 400V, 0,12A, 1W, <28Ohm, 15/33ns Аналог: КП502

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 150W Uds,max 100V Udg,max Ugs,max Id,max 40A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm 0.040 Caps TO-220 Производитель STE Применение ENHANCEMENT MODE POWER MOS…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 75W Uds,max 500V Udg,max Ugs,max Id,max 4A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) - Ciss - Rds,ohm 2.0 Caps TO220 Производитель SEMELAB Применение Аналоги: MTP4N50, IRF830, …

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 100W Uds,max 450V Udg,max 450V Ugs,max 20V Id,max 4.5A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 60/42 Ciss 800 Rds,ohm 1.500 Caps TO-220 Производитель STE Применение…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 75W Uds,max 400V Udg,max Ugs,max Id,max 4.5A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) - Ciss - Rds,ohm 1.5 Caps TO220 Производитель SEMELAB Применение Аналоги: IRF730; КП752В,…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 75W Uds,max 350V Udg,max Ugs,max Id,max 5.5A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) - Ciss - Rds,ohm 1 Caps TO220 Производитель SEMELAB Применение Аналоги: MTP5N35, IRF730,…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 100W Uds,max 400V Udg,max 400V Ugs,max 20V Id,max 5.5A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 62/45 Ciss 800 Rds,ohm 1.000 Caps TO-220 Производитель STE Применение…