Просмотр архива категории
Транзисторы
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 150mW
Ucb,max 60V
Uce,max -
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 125єC
Ft,max 80MHz
Cctip,pF -
Hfe 50MIN
Производитель SANYO
Caps TO92
Применение RF, Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 800mW
Ucb,max 75V
Uce,max 50V
Ueb,max 7V
Ic,max 600mA
Tj,max 175єC
Ft,max 80MHz
Cctip,pF 25
Hfe 40/120
Производитель MCE
Caps TO5
Применение Switvhing, DC Amplifiers…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 70W
Ucb,max 55V
Uce,max 35V
Ueb,max 3V
Ic,max 8A
Tj,max 175єC
Ft,max 200MHz
Cctip,pF 60
Hfe 10/150
Производитель TRW
Caps MD36
Применение RF, Power
Аналоги: KT909V;…
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
10W
40V
30V…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 250mW
Ucb,max 30V
Uce,max 25V
Ueb,max 20V
Ic,max 100mA
Tj,max 175єC
Ft,max 4MHz
Cctip,pF 15
Hfe 18MIN
Производитель ELN
Caps TO5
Применение Low Power, General Purpose…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max
Uds,max 200V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 3.3A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss
Rds,ohm 1.500
Caps N/A
Производитель INTERSIL
Применение Power MOSFET
Аналоги: КП748А,…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 180W
Uds,max 100V
Udg,max 100V
Ugs,max ±20V
Id,max 40A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 30/120nS
Ciss 2800pF
Rds,ohm 0.055
Caps TO-218
Производитель STE
Применение…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 100V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 24A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: КП746Г,
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 100V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 25A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) -
Ciss -
Rds,ohm 0.1
Caps TO220
Производитель SEMELAB
Применение
Аналоги: MTP20N08,…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 80V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 28A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) -
Ciss -
Rds,ohm 0.077
Caps TO220
Производитель SEMELAB
Применение
Аналоги: MTP25N05,…