Просмотр архива категории

Транзисторы

Транзистор 2SA611

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 150mW Ucb,max 60V Uce,max - Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 80MHz Cctip,pF - Hfe 50MIN Производитель SANYO Caps TO92 Применение RF, Low Power, General…

Транзистор 2N1613

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 800mW Ucb,max 75V Uce,max 50V Ueb,max 7V Ic,max 600mA Tj,max 175єC Ft,max 80MHz Cctip,pF 25 Hfe 40/120 Производитель MCE Caps TO5 Применение Switvhing, DC Amplifiers…

Транзистор 2N5178

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 70W Ucb,max 55V Uce,max 35V Ueb,max 3V Ic,max 8A Tj,max 175єC Ft,max 200MHz Cctip,pF 60 Hfe 10/150 Производитель TRW Caps MD36 Применение RF, Power Аналоги: KT909V;…

Транзистор 2SD882

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Pc max Ucb max Uce max Ueb max Ic max Tj max, °C Ft max Cc tip Hfe 10W 40V 30V…

Транзистор 2N1221

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 250mW Ucb,max 30V Uce,max 25V Ueb,max 20V Ic,max 100mA Tj,max 175єC Ft,max 4MHz Cctip,pF 15 Hfe 18MIN Производитель ELN Caps TO5 Применение Low Power, General Purpose…

IRF610

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max Uds,max 200V Udg,max Ugs,max Id,max 3.3A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm 1.500 Caps N/A Производитель INTERSIL Применение Power MOSFET Аналоги: КП748А,…

IRFP150

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 180W Uds,max 100V Udg,max 100V Ugs,max ±20V Id,max 40A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 30/120nS Ciss 2800pF Rds,ohm 0.055 Caps TO-218 Производитель STE Применение…

IRL540

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 100V Udg,max Ugs,max Id,max 24A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: КП746Г,

IRF542

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 100V Udg,max Ugs,max Id,max 25A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) - Ciss - Rds,ohm 0.1 Caps TO220 Производитель SEMELAB Применение Аналоги: MTP20N08,…

IRF541

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 80V Udg,max Ugs,max Id,max 28A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) - Ciss - Rds,ohm 0.077 Caps TO220 Производитель SEMELAB Применение Аналоги: MTP25N05,…