Просмотр архива категории

Транзисторы

IRF842

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 500V Udg,max Ugs,max Id,max 7A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) - Ciss - Rds,ohm 1.1 Caps TO220 Производитель SEMELAB Применение Аналоги: IRF840, КП724Б…

MTP6N60

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 600V Udg,max 600V Ugs,max 20V Id,max 16.8A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 65/175 Ciss 1500 Rds,ohm 1.200 Caps TO-220 Производитель STE Применение…

IRLZ44

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 150W Uds,max 60V Udg,max Ugs,max Id,max 35A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: NDP6060L, STP50N06L,…

IRFZ40

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 150W Uds,max 50V Udg,max 50V Ugs,max 20V Id,max 50A Tj,max 175єC Fr (ton/toff) 70/160 Ciss 2200 Rds,ohm 0.028 Caps TO-220 Производитель STE Применение ENHANCEMENT…

IRFZ45

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 150W Uds,max 60V Udg,max Ugs,max Id,max 35A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: STP36N06, КП723Б

IRFZ44

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 150W Uds,max 60V Udg,max Ugs,max Id,max 35A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: NDP6060, STP50N06,…

BUZ36

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 200V Udg,max Ugs,max Id,max 22A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) - Ciss - Rds,ohm 0.12 Caps TO3 Производитель SEMELAB Применение Аналоги: IRF252, КП722А…

IRF720

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 75W Uds,max 400V Udg,max 400V Ugs,max 20V Id,max 4.2A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 33/90 Ciss 450 Rds,ohm 1.800 Caps TO-220 Производитель STE Применение ENHANCEMENT…

IRF453

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 150W Uds,max 450V Udg,max Ugs,max Id,max 12A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) - Ciss - Rds,ohm 0.5 Caps TO3 Аналоги: КП718Е1

BUZ45

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 500V Udg,max Ugs,max Id,max 9.6A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) - Ciss - Rds,ohm 0.6 Caps TO3 Производитель SEMELAB Применение Аналоги: IRF452; КП718А…