Просмотр архива категории
Транзисторы
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 500V
Udg,max 500V
Ugs,max 20V
Id,max 8A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 50/43
Ciss 1500
Rds,ohm 0.850
Caps TO-220
Производитель STE
Применение ENHANCEMENT…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 43W
Uds,max 50V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 7.2A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: КП739Б,
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 43W
Uds,max 60V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 10A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: NDP4060, КП739А,
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 75W
Uds,max 250V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 6.5A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 49/76nS
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: КП737В,
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 100W
Uds,max 400V
Udg,max 400V
Ugs,max 20V
Id,max 5.5A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 62/45
Ciss 800
Rds,ohm 1.000
Caps TO-220
Производитель STE
Применение…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 100W
Uds,max 800V
Udg,max 800V
Ugs,max 20V
Id,max 3.8A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 90/200nS
Ciss 1100pF
Rds,ohm 3.000
Caps TO-220
Производитель STE
Применение…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 90W
Uds,max 60V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 25A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: NDP5060L, STP32N0 6L,…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 90W
Uds,max 60V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 30A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: NDP5060, STP30N06,…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 80W
Uds,max 50V
Udg,max 50V
Ugs,max 20V
Id,max 18A
Tj,max 175єC
Fr (ton/toff) 65/95nS
Ciss 700pF
Rds,ohm 0.100
Caps TO-220
Производитель STE
Применение…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 75W
Uds,max 600V
Udg,max 600V
Ugs,max ±20V
Id,max 4A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 30/150nS
Ciss 1050pF
Rds,ohm 2
Caps TO220AB
Производитель SIEMENS
Применение…