Просмотр архива категории

Транзисторы

IRF840

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 500V Udg,max 500V Ugs,max 20V Id,max 8A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 50/43 Ciss 1500 Rds,ohm 0.850 Caps TO-220 Производитель STE Применение ENHANCEMENT…

IRFZ10

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 43W Uds,max 50V Udg,max Ugs,max Id,max 7.2A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: КП739Б,

IRFZ14

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 43W Uds,max 60V Udg,max Ugs,max Id,max 10A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: NDP4060,  КП739А,

IRF635

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 75W Uds,max 250V Udg,max Ugs,max Id,max 6.5A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 49/76nS Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: КП737В,

IRF730

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 100W Uds,max 400V Udg,max 400V Ugs,max 20V Id,max 5.5A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 62/45 Ciss 800 Rds,ohm 1.000 Caps TO-220 Производитель STE Применение…

BUZ80A

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 100W Uds,max 800V Udg,max 800V Ugs,max 20V Id,max 3.8A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 90/200nS Ciss 1100pF Rds,ohm 3.000 Caps TO-220 Производитель STE Применение…

IRLZ34

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 90W Uds,max 60V Udg,max Ugs,max Id,max 25A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: NDP5060L, STP32N0 6L,…

IRFZ34

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 90W Uds,max 60V Udg,max Ugs,max Id,max 30A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: NDP5060, STP30N06,…

BUZ71

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 80W Uds,max 50V Udg,max 50V Ugs,max 20V Id,max 18A Tj,max 175єC Fr (ton/toff) 65/95nS Ciss 700pF Rds,ohm 0.100 Caps TO-220 Производитель STE Применение…

BUZ90A

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 75W Uds,max 600V Udg,max 600V Ugs,max ±20V Id,max 4A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 30/150nS Ciss 1050pF Rds,ohm 2 Caps TO220AB Производитель SIEMENS Применение…