Просмотр архива категории
Транзисторы
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура pnpPc,max 150WUcb,max 100VUce,max 60VUeb,max 7VIc,max 15ATj,max 200єCFt,max 4MHzCctip,pF Hfe 5MINПроизводитель MOTOROLACaps TO3Применение Power, General PurposeАналоги: 2N3792, BDX20,
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 40WUcb,max 300VUce,max 120VUeb,max 8VIc,max 6ATj,max 150єCFt,max 10MHzCctip,pF -Hfe 40/240Производитель SAMSUNGCaps TO220Применение -Аналоги:
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 40WUcb,max 150VUce,max 70VUeb,max 8VIc,max 5ATj,max 150єCFt,max 10MHzCctip,pF -Hfe 20/140Производитель SAMSUNGCaps TO220Применение -Аналоги: MJE15028, MJE15030, 2SD961, 2SD1237, ECG54,…
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 400mWUcb,max 30VUce,max 25VUeb,max 5VIc,max 300mATj,max 150єCFt,max -Cctip,pF -Hfe 70/400Производитель SAMSUNGCaps TO92Применение Low Power, General PurposeАналоги:
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 50WUcb,max 800VUce,max 500VUeb,max 7VIc,max 5ATj,max 150єCFt,max 18MHzCctip,pF 50Hfe 15/50Производитель SAMSUNGCaps TO220Применение -Аналоги:
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура pnpPc,max 400mWUcb,max 60VUce,max 45VUeb,max 5VIc,max 200mATj,max 150єCFt,max -Cctip,pF -Hfe 40/240Производитель SAMSUNGCaps TO92Применение Low Power, General PurposeАналоги:
Тип FET транзисторТехнология MOSFETPalarity N-ChannelPd,max 75WUds,max 600VUdg,max 600VUgs,max ±20VId,max 4.5ATj,max 150єCFr (ton/toff) 30/150nSCiss 1050pFRds,ohm 1.6Caps TO220ABПроизводитель SIEMENSПрименение SIPMOS Power V-MOSАналоги: …
Тип FET транзисторТехнология MOSFETPalarity N-ChannelPd,max 75WUds,max 400VUdg,max Ugs,max Id,max 5.5ATj,max 150єCFr (ton/toff) -Ciss -Rds,ohm 1.0Caps TO220MПроизводитель SEMELABПрименение Аналоги: IRF730,
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 85WUcb,max 300VUce,max 180VUeb,max -Ic,max 10ATj,max 200єCFt,max 2MHzCctip,pF 200Hfe 20/300Производитель TICaps TO3Применение High Power, High Voltage, General PurposeАналоги:
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 250WUcb,max 1000VUce,max 450VUeb,max -Ic,max 30ATj,max 200єCFt,max -Cctip,pF -Hfe 5MINПроизводитель CDILCaps TO3Применение Power, High Voltage, General PurposeАналоги:
