Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 40W
Ucb,max 300V
Uce,max 120V
Ueb,max 8V
Ic,max 6A
Tj,max 150єC
Ft,max 10MHz
Cctip,pF —
Hfe 40/240
Производитель SAMSUNG
Caps TO220
Применение —
Аналоги:
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 40W
Ucb,max 300V
Uce,max 120V
Ueb,max 8V
Ic,max 6A
Tj,max 150єC
Ft,max 10MHz
Cctip,pF —
Hfe 40/240
Производитель SAMSUNG
Caps TO220
Применение —
Аналоги: