SMD транзистор 2SD2359 код 1O
SMD транзистор 2SD2359 код 1O
Transistor 2SD2359 SMD code 1O
- NPN низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
- Малое напряжение насыщения.
- Комплементарная пара с 2SB1539
- Маркировка кодом: 1O
- Корпус SC-62 (EIAJ)
| Вывод | Назначение |
| 1 | База |
| 2 | Коллектор |
| 3 | Эмиттер |
| Корпус | Коллектор |
Предельно допустимые и основные электрические параметры
| Символ | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 20 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 20 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 5 | В |
| lc | Ток коллектора | — | — | — | 1 | А |
| Icp | Ток коллектора импульсный | 1,2 | А | |||
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) | Т = 25°С | — | — | 1 | Вт |
| Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb =10 В, le = 0 | — | — | 100 | нА |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 2 В, lc = 100 мА | 200 | — | 800 | — |
| Vce sat | Напряжение насыщения К-Э | lc = 500 мА, lb = 50 мА | — | — | 0,15 | В |
| fr | Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | Vcb = 6 В, le = 50мА | — | 100 | — | МГц |
| Cob | Выходная емкость | Vcb = 10 В, le = 0, f = 1 МГц | — | 23 | — | пФ |
<<< SMD Коды
* * *
