Транзистор 2SD882
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
| Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
| 10W | 40V | 30V | 5V | 3A | 150°C | 90MHz | 45 | 60/120 |
