IRF1010E
IRF1010E HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Группа компонентов
MOSFET
Основные параметры
| Полярность | N |
| Каналов,шт | 1 |
| VDSS,В | 60 |
| RDS(ON) 10 В,мОм | 12 |
| ID,А | 81 |
| PD,Вт | 170 |
| Корпус | TO-220AB |
Datasheet
IRF1010E HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel