Транзистор IRF512

Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 43W
Uds,max 100V
Udg,max
Ugs,max —
Id,max 4.9A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 47/42nS
Ciss —
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: IRF520;