Технические характеристики полевых сборок

 Полевые сборки

Условные обозначения электрических параметров

Обозначение Параметр
S1-S2/I(U)  крутизна характеристики полевого транзистора (минимальное и максимальное значения) измеряемые при заданном токе стока (I) или при заданном напряжении на стоке (U).
I01-I02/U  начальный ток стока полевого транзистора (минимальное и максимальное значения) и напряжение на стоке, при котором это значение измеряется.
Iз/Uз  ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке и напряжение между стоком и затвором, при котором измеряется ток утечки.
C11  входная емкость полевого транзистора. C11=Cзи+Cзс.
C12  проходная емкость полевого транзистора. C12=Cзс.
C22  выходная емкость полевого транзистора. C22=Cзс+Cзи.
Fш/F коэффициент шума полевого транзистора и частота на которой производится измерение.
(U0)Uзи/Iс  напряжение отсечки (U0) полевого транзистора или напряжение затвор-исток (Uзи) при заданном токе стока (Iс).
Uзс  максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком.
Uзи  максимально допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком.
Uси  максимально допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком.
Iс  максимально допустимый постоянный ток стока.
максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе.
Тип  тип полевого транзистора (МДП, P-N или Шоттки).
Канал  тип канала полевого транзистора.
Цоколевка номер рисунка с расположением выводов.

Значение со звездочкой (*) приводится для импульсного режима.

Если приводится два значения параметра через черточку,
 это означает минимальное и максимальное значение.
Транзистор
S1-S2/I(U)
мсим/мА(В)
I01-I02/U,
мА/В
нА
Cвх,
пф
Cпр,
пф
S1/S2
I01/
I02
В
Uзс,
В
Uзи,
В
Uси,
В
P,
мвт
Тип
Канал
Есм0
мВ
Eдр
мкВ/град
504НТ1А
0.3-/
0.1-0.7
2
6
2
0.85
0.85
-5
10
10
P-N
N
30
50/90%
504НТ1Б
0.5-/
0.4-1.5
2
6
2
0.85
0.85
-5
10
10
P-N
N
30
50/90%
504НТ1В
0.8-/
1.0-2.0
2
6
2
0.85
0.85
-5
10
10
P-N
N
30
50/90%
504НТ2А
0.3-/
0.1-0.7
2
6
2
0.85
0.85
-5
10
10
P-N
N
30
250/90%
504НТ2Б
0.5-/
0.4-1.5
2
6
2
0.85
0.85
-5
10
10
P-N
N
30
250/90%
504НТ2В
0.8-/
1.0-2.0
2
6
2
0.85
0.85
-5
10
10
P-N
N
30
250/90%
504НТ3А
1.5-/
1.5-7.5
2
17
4
0.85
0.85
-5
10
10
P-N
N
30
50/90%
504НТ3Б
3.0-/
5-15
2
17
4
0.85
0.85
-5
10
10
P-N
N
30
50/90%
504НТ3В
5.0-/
10-20
2
17
4
0.85
0.85
-5
10
10
P-N
N
30
50/90%
504НТ4А
1.5-/
1.5-7.5
2
17
4
0.85
0.85
-5
10
10
P-N
N
30
300/90%
504НТ4Б
3.0-/
5-15
2
17
4
0.85
0.85
-5
10
10
P-N
N
30
300/90%
504НТ4В
5.0-/
10-20
2
17
4
0.85
0.85
-5
10
10
P-N
N
30
300/90%
КФ504НТ5
1.5-/(10)
1.2-5
2
13
4
0.85
-5
18
200
P-N
N
 

N

Поисковые запросы:

  • Технические характеристики smd транзисторов
  • ta8238k выводы
  • технические характеристики полевых транзисторов

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Можно использовать следующие HTML-теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>