транзистор

Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура pnpPc,max 5WUcb,max 300VUce,max 300VUeb,max 5VIc,max 1ATj,max 200єCFt,max 40MHzCctip,pF 60Hfe 20MINПроизводитель MOTOROLACaps TO39Применение RF, Medium Power, High VoltageАналоги: 2N5416,…

Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура pnpPc,max 5WUcb,max 200VUce,max 200VUeb,max 5VIc,max 1ATj,max 200єCFt,max 40MHzCctip,pF 80Hfe 20MINПроизводитель MOTOROLACaps TO39Применение RF, Medium Power, High VoltageАналоги: 2N5416,…

Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура pnpPc,max 150WUcb,max 100VUce,max 60VUeb,max 7VIc,max 15ATj,max 200єCFt,max 4MHzCctip,pF Hfe 5MINПроизводитель MOTOROLACaps TO3Применение Power, General PurposeАналоги: 2N3792, BDX20, 

Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 40WUcb,max 300VUce,max 120VUeb,max 8VIc,max 6ATj,max 150єCFt,max 10MHzCctip,pF -Hfe 40/240Производитель SAMSUNGCaps TO220Применение -Аналоги: 

Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 40WUcb,max 150VUce,max 70VUeb,max 8VIc,max 5ATj,max 150єCFt,max 10MHzCctip,pF -Hfe 20/140Производитель SAMSUNGCaps TO220Применение -Аналоги: MJE15028, MJE15030, 2SD961, 2SD1237, ECG54,…

Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 400mWUcb,max 30VUce,max 25VUeb,max 5VIc,max 300mATj,max 150єCFt,max -Cctip,pF -Hfe 70/400Производитель SAMSUNGCaps TO92Применение Low Power, General PurposeАналоги: 

Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 50WUcb,max 800VUce,max 500VUeb,max 7VIc,max 5ATj,max 150єCFt,max 18MHzCctip,pF 50Hfe 15/50Производитель SAMSUNGCaps TO220Применение -Аналоги: 

Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура pnpPc,max 400mWUcb,max 60VUce,max 45VUeb,max 5VIc,max 200mATj,max 150єCFt,max -Cctip,pF -Hfe 40/240Производитель SAMSUNGCaps TO92Применение Low Power, General PurposeАналоги: 

Тип FET транзисторТехнология MOSFETPalarity N-ChannelPd,max 75WUds,max 600VUdg,max 600VUgs,max ±20VId,max 4.5ATj,max 150єCFr (ton/toff) 30/150nSCiss 1050pFRds,ohm 1.6Caps TO220ABПроизводитель SIEMENSПрименение SIPMOS Power V-MOSАналоги: …

Тип FET транзисторТехнология MOSFETPalarity N-ChannelPd,max 75WUds,max 400VUdg,max Ugs,max Id,max 5.5ATj,max 150єCFr (ton/toff) -Ciss -Rds,ohm 1.0Caps TO220MПроизводитель SEMELABПрименение Аналоги: IRF730,