Транзистор 2N2221
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 500mW
Ucb,max 60V
Uce,max 30V
Ueb,max 5V
Ic,max 800mA
Tj,max 175єC
Ft,max 250MHz
Cctip,pF 8
Hfe 40/120
Производитель STE
Caps TO18
Применение High-speed switching…
Транзистор 2N2219A
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 800mW
Ucb,max 75V
Uce,max 50V
Ueb,max 6V
Ic,max 800mA
Tj,max 175єC
Ft,max 300MHz
Cctip,pF 8
Hfe 100MIN
Производитель FAIRCHILD
Caps TO39
Применение Medium Power,…
Транзистор 2N2219
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 800mW
Ucb,max 60V
Uce,max 30V
Ueb,max 5V
Ic,max 800mA
Tj,max 175єC
Ft,max 250MHz
Cctip,pF 8
Hfe 100MIN
Производитель STE
Caps TO39
Применение High-speed switching…
Транзистор 2N2218
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 800mW
Ucb,max 60V
Uce,max 30V
Ueb,max 6V
Ic,max 800mA
Tj,max 200єC
Ft,max 250MHz
Cctip,pF 8
Hfe 40/120
Производитель STE
Caps TO39
Применение High-speed switching…
Транзистор 2N1715
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 800mW
Ucb,max 150V
Uce,max 100V
Ueb,max -
Ic,max 1A
Tj,max 200єC
Ft,max 16MHz
Cctip,pF -
Hfe 20/60
Производитель TI
Caps TO5
Применение Medium Power, High Voltage…
Транзистор 2N6034
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 40W
Ucb,max 40V
Uce,max 40V
Ueb,max 5V
Ic,max 4A
Tj,max 150єC
Ft,max 25MHz
Cctip,pF 200
Hfe 750MIN
Производитель MOTOROLA
Caps TO126
Применение Darlington, Power…
Транзистор 2N5875
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 150W
Ucb,max 60V
Uce,max 60V
Ueb,max 5V
Ic,max 10A
Tj,max 200єC
Ft,max 4MHz
Cctip,pF 500
Hfe 20/100
Производитель MOTOROLA
Caps TO3
Применение RF, Power, General…
Транзистор 2N4261
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 200mW
Ucb,max 15V
Uce,max 15V
Ueb,max 4V
Ic,max 30mA
Tj,max 200єC
Ft,max 2GHz
Cctip,pF 2.5
Hfe 30/150
Производитель MOTOROLA
Caps TO72
Применение VHF, Low Power,…
Транзистор 2N4260
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 200mW
Ucb,max 15V
Uce,max 15V
Ueb,max 4V
Ic,max 30mA
Tj,max 200єC
Ft,max 1.6GHz
Cctip,pF 2.5
Hfe 30/150
Производитель MOTOROLA
Caps TO72
Применение VHF, Low Power,…
Транзистор 2N5210
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 310mW
Ucb,max 50V
Uce,max 50V
Ueb,max 4V
Ic,max 50mA
Tj,max 130єC
Ft,max 30MHz
Cctip,pF 4
Hfe 250MIN
Производитель MOTOROLA
Caps TO92
Применение Low Power, Low Noise,…