Транзистор 2N2221

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 500mW Ucb,max 60V Uce,max 30V Ueb,max 5V Ic,max 800mA Tj,max 175єC Ft,max 250MHz Cctip,pF 8 Hfe 40/120 Производитель STE Caps TO18 Применение High-speed switching…

Транзистор 2N2219A

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 800mW Ucb,max 75V Uce,max 50V Ueb,max 6V Ic,max 800mA Tj,max 175єC Ft,max 300MHz Cctip,pF 8 Hfe 100MIN Производитель FAIRCHILD Caps TO39 Применение Medium Power,…

Транзистор 2N2219

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 800mW Ucb,max 60V Uce,max 30V Ueb,max 5V Ic,max 800mA Tj,max 175єC Ft,max 250MHz Cctip,pF 8 Hfe 100MIN Производитель STE Caps TO39 Применение High-speed switching…

Транзистор 2N2218

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 800mW Ucb,max 60V Uce,max 30V Ueb,max 6V Ic,max 800mA Tj,max 200єC Ft,max 250MHz Cctip,pF 8 Hfe 40/120 Производитель STE Caps TO39 Применение High-speed switching…

Транзистор 2N1715

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 800mW Ucb,max 150V Uce,max 100V Ueb,max - Ic,max 1A Tj,max 200єC Ft,max 16MHz Cctip,pF - Hfe 20/60 Производитель TI Caps TO5 Применение Medium Power, High Voltage…

Транзистор 2N6034

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 40W Ucb,max 40V Uce,max 40V Ueb,max 5V Ic,max 4A Tj,max 150єC Ft,max 25MHz Cctip,pF 200 Hfe 750MIN Производитель MOTOROLA Caps TO126 Применение Darlington, Power…

Транзистор 2N5875

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 150W Ucb,max 60V Uce,max 60V Ueb,max 5V Ic,max 10A Tj,max 200єC Ft,max 4MHz Cctip,pF 500 Hfe 20/100 Производитель MOTOROLA Caps TO3 Применение RF, Power, General…

Транзистор 2N4261

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 200mW Ucb,max 15V Uce,max 15V Ueb,max 4V Ic,max 30mA Tj,max 200єC Ft,max 2GHz Cctip,pF 2.5 Hfe 30/150 Производитель MOTOROLA Caps TO72 Применение VHF, Low Power,…

Транзистор 2N4260

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 200mW Ucb,max 15V Uce,max 15V Ueb,max 4V Ic,max 30mA Tj,max 200єC Ft,max 1.6GHz Cctip,pF 2.5 Hfe 30/150 Производитель MOTOROLA Caps TO72 Применение VHF, Low Power,…

Транзистор 2N5210

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 310mW Ucb,max 50V Uce,max 50V Ueb,max 4V Ic,max 50mA Tj,max 130єC Ft,max 30MHz Cctip,pF 4 Hfe 250MIN Производитель MOTOROLA Caps TO92 Применение Low Power, Low Noise,…