Транзистор 2SA611
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 150mW
Ucb,max 60V
Uce,max -
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 125єC
Ft,max 80MHz
Cctip,pF -
Hfe 50MIN
Производитель SANYO
Caps TO92
Применение RF, Low Power, General…
Транзистор 2N1613
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 800mW
Ucb,max 75V
Uce,max 50V
Ueb,max 7V
Ic,max 600mA
Tj,max 175єC
Ft,max 80MHz
Cctip,pF 25
Hfe 40/120
Производитель MCE
Caps TO5
Применение Switvhing, DC Amplifiers…
Транзистор 2N5178
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 70W
Ucb,max 55V
Uce,max 35V
Ueb,max 3V
Ic,max 8A
Tj,max 175єC
Ft,max 200MHz
Cctip,pF 60
Hfe 10/150
Производитель TRW
Caps MD36
Применение RF, Power
Аналоги: KT909V;…
Транзистор 2SD882
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
10W
40V
30V…
Транзистор 2N1221
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 250mW
Ucb,max 30V
Uce,max 25V
Ueb,max 20V
Ic,max 100mA
Tj,max 175єC
Ft,max 4MHz
Cctip,pF 15
Hfe 18MIN
Производитель ELN
Caps TO5
Применение Low Power, General Purpose…
Диаметры медного провода для предохранителя
Диаметры медного провода для плавкой вставки предохранителя
Табличка, которая должна быть под руками у каждого электрика.
Диаметры медного провода для плавкой вставки предохранителя
Номинальный диаметр медного…
IRF610
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max
Uds,max 200V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 3.3A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss
Rds,ohm 1.500
Caps N/A
Производитель INTERSIL
Применение Power MOSFET
Аналоги: КП748А,…
IRFP150
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 180W
Uds,max 100V
Udg,max 100V
Ugs,max ±20V
Id,max 40A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 30/120nS
Ciss 2800pF
Rds,ohm 0.055
Caps TO-218
Производитель STE
Применение…