Транзисторы

IRF732

Alex 0
Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 75W Uds,max 400V Udg,max Ugs,max Id,max 4.5A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) - Ciss - Rds,ohm 1.5 Caps TO220 Производитель SEMELAB Применение Аналоги: IRF730; КП752В,…
Транзисторы

IRF731

Alex 0
Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 75W Uds,max 350V Udg,max Ugs,max Id,max 5.5A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) - Ciss - Rds,ohm 1 Caps TO220 Производитель SEMELAB Применение Аналоги: MTP5N35, IRF730,…
Транзисторы

IRF730

Alex 0
Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 100W Uds,max 400V Udg,max 400V Ugs,max 20V Id,max 5.5A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 62/45 Ciss 800 Rds,ohm 1.000 Caps TO-220 Производитель STE Применение…
Транзисторы

IRF840

Alex 0
Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 500V Udg,max 500V Ugs,max 20V Id,max 8A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 50/43 Ciss 1500 Rds,ohm 0.850 Caps TO-220 Производитель STE Применение ENHANCEMENT…
Транзисторы

IRFZ10

Alex 0
Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 43W Uds,max 50V Udg,max Ugs,max Id,max 7.2A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: КП739Б,
Транзисторы

IRFZ14

Alex 0
Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 43W Uds,max 60V Udg,max Ugs,max Id,max 10A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: NDP4060,  КП739А,
Транзисторы

IRF635

Alex 0
Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 75W Uds,max 250V Udg,max Ugs,max Id,max 6.5A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 49/76nS Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: КП737В,
Транзисторы

IRF730

Alex 0
Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 100W Uds,max 400V Udg,max 400V Ugs,max 20V Id,max 5.5A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 62/45 Ciss 800 Rds,ohm 1.000 Caps TO-220 Производитель STE Применение…
Транзисторы

BUZ80A

Alex 0
Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 100W Uds,max 800V Udg,max 800V Ugs,max 20V Id,max 3.8A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 90/200nS Ciss 1100pF Rds,ohm 3.000 Caps TO-220 Производитель STE Применение…
Транзисторы

IRLZ34

Alex 0
Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 90W Uds,max 60V Udg,max Ugs,max Id,max 25A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: NDP5060L, STP32N0 6L,…