Транзистор IRL530 Транзисторы 1 704 0 Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 75W Uds,max 100V Udg,max Ugs,max Id,max 13A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: STP20N10L; 0 1 704 Опубликовать