Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 150W
Uds,max 100V
Udg,max 100V
Ugs,max 20V
Id,max 30A
Tj,max 175єC
Fr (ton/toff) 80/160
Ciss 2100
Rds,ohm 0.077
Caps TO-220
Производитель STE
Применение ENHANCEMENT MODE POWER MOS
Аналоги: NDP610A;BUK455-100A;BUK456-100B;RFP22N10;