Транзистор IRF641

Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 150V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 18A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 98/122nS
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: IRF640;