Транзистор IRF641

Want create site? Find Free WordPress Themes and plugins.

Тип FET транзисторc_TO220
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 150V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 18A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 98/122nS
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: IRF640;

ch_TO220FE

 

Did you find apk for android? You can find new Free Android Games and apps.
Вам также могут понравиться

Оставьте ответ

Ваш электронный адрес не будет опубликован.

Все результаты поиска