Новости

Транзистор IRF641

Want create site? Find Free WordPress Themes and plugins.

Тип FET транзисторc_TO220
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 150V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 18A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 98/122nS
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: IRF640;

ch_TO220FE

 

Did you find apk for android? You can find new Free Android Games and apps.

Оставить комментарий

Ваш email нигде не будет показанОбязательные для заполнения поля помечены *

*

13 − 1 =

Powered by