Новости
c_TO220

Транзистор IRF642

Тип FET транзисторc_TO220
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 200V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 16A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 98/122nS
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: MTP12N18, MTP12N20, IRF640,

 

ch_TO220FE

Оставить комментарий

Ваш email нигде не будет показанОбязательные для заполнения поля помечены *

*

Powered by