Транзистор IRF642

Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 200V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 16A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 98/122nS
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: MTP12N18, MTP12N20, IRF640,