Эл.компоненты

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1BC2L 81C11L-P-AE3-2 Voltage Detector integrated circuit 1.1V±2%, -Reset Push-Pull Output, lead free SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1BC2G 81C11G-P-AE3-2 Voltage Detector integrated circuit 1.1V±2%, -Reset Push-Pull Output, halogen free SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1BC2 81C11-P-AE3-2 Voltage Detector integrated circuit 1.1V±2%, -Reset Push-Pull Output SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd. www.unisonic.com.tw…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1B8 CMSZ5251B Zener diode 22V±5%, 5.6mA, Zzt=29?, 275mW SOT-323 Производитель Central Semiconductor Corp. www.centralsemi.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1B5 TC591102ECB Linear voltage regulator integrated circuit Low drop voltage, -1.1V±2%, 200mA SOT-23 Производитель Microchip Technology Inc. www.microchip.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1B0 TC55RP112ECB Linear voltage regulator integrated circuit Low drop voltage, 1.1 V±2%, 250mA SOT-23 Производитель Microchip Technology Inc. www.microchip.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса -1B PMST2222 Silicon npn transistor Switching, 60V, 600mA, 200mW, B=120..300, >300MHz SOT-323 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1B YTS2222 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 70V, 0.8A, 200mW, B=100..300, >200MHz SOT-23 Производитель Toshiba Corporation www.toshiba.com…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1B TMPT2222 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 60V, 0.8A, 200mW, B=100..300, >200MHz SOT-23 Производитель Allegro MicroSystems Inc.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1B SMBT2222 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 60V, 600mA, 330mW, B=120..360, >300MHz SOT-23 Производитель Infineon Technologies AG…