Просмотр архива категории
Эл.компоненты
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 70W
Uds,max 100V
Udg,max 100V
Ugs,max 20V
Id,max 10A
Tj,max 175єC
Fr (ton/toff) 15/75nS
Ciss 450pF
Rds,ohm 0.270
Caps TO-220
Производитель STE
Применение…
MOS FET Channel N
50V
1,4A
1W
<0,3Ohm
MOS FET Channel N
240v
0, 25А
1W
< 8 ом
Особенности
• Оптимизирован для средних рабочих частот (от 1 до 10 кГц)
Параметр
Макс
Единицы
VCES
коллектор-эмиттер
1200
В
IC @ TC = 25 ° C
Непрерывный ток коллектора
45
A…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max
Uds,max 100V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 5.6A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss
Rds,ohm 0.540
Caps N/A
Производитель INTERSIL
Применение Power MOSFET
Аналоги:…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max
Uds,max 400V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 2A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss
Rds,ohm 3.600
Caps N/A
Производитель INTERSIL
Применение Power MOSFET
Аналоги:
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-channel
Pd,max
Uds,max 200V
Udg,max
Ugs,max 3V
Id,max 180mA
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss 85pF
Rds,ohm 10
Caps E-Line
Производитель ZETEX
Применение High voltage, low current…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 150W
Uds,max 500V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 12A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 35/170nS
Ciss 2700pF
Rds,ohm 0.5
Caps TO3
Производитель SEMELAB
Применение
Аналоги:…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 500V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 8A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 30/80nS
Ciss 610pF
Rds,ohm 1.8
Caps TO3
Производитель SEMELAB
Применение
Аналоги:…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-channel
Pd,max 200mW
Uds,max 20V
Udg,max
Ugs,max 8.5V
Id,max 20mA
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss 0.8pF
Rds,ohm
Caps SOT-103
Производитель N/A
Применение MOSFET, Dual gate…