Эл.компоненты

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 70W Uds,max 100V Udg,max 100V Ugs,max 20V Id,max 10A Tj,max 175єC Fr (ton/toff) 15/75nS Ciss 450pF Rds,ohm 0.270 Caps TO-220 Производитель STE Применение…

MOS FET Channel N 50V 1,4A 1W <0,3Ohm

MOS FET Channel N 240v 0, 25А 1W < 8 ом

Особенности • Оптимизирован для средних рабочих частот (от 1 до 10 кГц) Параметр Макс Единицы VCES коллектор-эмиттер 1200 В IC @ TC = 25 ° C Непрерывный ток коллектора 45 A…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max Uds,max 100V Udg,max Ugs,max Id,max 5.6A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm 0.540 Caps N/A Производитель INTERSIL Применение Power MOSFET Аналоги:…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max Uds,max 400V Udg,max Ugs,max Id,max 2A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm 3.600 Caps N/A Производитель INTERSIL Применение Power MOSFET Аналоги:

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-channel Pd,max Uds,max 200V Udg,max Ugs,max 3V Id,max 180mA Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss 85pF Rds,ohm 10 Caps E-Line Производитель ZETEX Применение High voltage, low current…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 150W Uds,max 500V Udg,max Ugs,max Id,max 12A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 35/170nS Ciss 2700pF Rds,ohm 0.5 Caps TO3 Производитель SEMELAB Применение Аналоги:…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 500V Udg,max Ugs,max Id,max 8A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 30/80nS Ciss 610pF Rds,ohm 1.8 Caps TO3 Производитель SEMELAB Применение Аналоги:…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-channel Pd,max 200mW Uds,max 20V Udg,max Ugs,max 8.5V Id,max 20mA Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss 0.8pF Rds,ohm Caps SOT-103 Производитель N/A Применение MOSFET, Dual gate…