Сквозная нумерация наиболее популярных корпусов SMD
JEDEC*
EIAJ*
PHILIPS SIEMENS CENTS* MAXIM
ROHM
SANYO
HITACHI
MOTOROLA
TOSHIBA KEC
ТО-236
SC-59
SOT-346
SMD/T3
MPAK2
SC-59
S-MINI
ТО-236АВ…
Просмотр архива категории
Эл.компоненты
Корпуса компонентов для поверхностного монтажа (SMD)
Несмотря на большое количество стандартов, регламентирующих требования к корпусам электронных компонентов, многие фирмы выпускают элементы в корпусах, не соответствующих международным стандартам. Встречаются также ситуации, когда корпус,…
Введение по маркировке электронных компонентов
Для того чтобы правильно воспринимать и использовать представленный здесь материал, необходимо ознакомиться со следующей информацией:
Очень важны размеры корпусов, поскольку внешне многие корпуса похожи друг на друга, а для…
IRF842
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 500V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 7A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) -
Ciss -
Rds,ohm 1.1
Caps TO220
Производитель SEMELAB
Применение
Аналоги: IRF840, КП724Б…
MTP6N60
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 600V
Udg,max 600V
Ugs,max 20V
Id,max 16.8A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 65/175
Ciss 1500
Rds,ohm 1.200
Caps TO-220
Производитель STE
Применение…
IRLZ44
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 150W
Uds,max 60V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 35A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: NDP6060L, STP50N06L,…
IRFZ40
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 150W
Uds,max 50V
Udg,max 50V
Ugs,max 20V
Id,max 50A
Tj,max 175єC
Fr (ton/toff) 70/160
Ciss 2200
Rds,ohm 0.028
Caps TO-220
Производитель STE
Применение ENHANCEMENT…
IRFZ45
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 150W
Uds,max 60V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 35A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: STP36N06, КП723Б
IRFZ44
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 150W
Uds,max 60V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 35A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: NDP6060, STP50N06,…
BUZ36
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 200V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 22A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) -
Ciss -
Rds,ohm 0.12
Caps TO3
Производитель SEMELAB
Применение
Аналоги: IRF252, КП722А…