Новости
c_TO131

Транзистор BF960

Тип FET транзисторc_TO131
Технология MOSFET
Palarity N-channel
Pd,max 200mW
Uds,max 20V
Udg,max
Ugs,max 8.5V
Id,max 20mA
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss 0.8pF
Rds,ohm
Caps SOT-103
Производитель N/A
Применение MOSFET, Dual gate
Аналоги:

 ch_TO131FE2

Оставить комментарий

Ваш email нигде не будет показанОбязательные для заполнения поля помечены *

*

Powered by