Транзистор BF960 Транзисторы 2 913 0 Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-channel Pd,max 200mW Uds,max 20V Udg,max Ugs,max 8.5V Id,max 20mA Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss 0.8pF Rds,ohm Caps SOT-103 Производитель N/A Применение MOSFET, Dual gate Аналоги: 0 2 913 Опубликовать