Просмотр архива категории

Эл.компоненты

IRF720

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 75W Uds,max 400V Udg,max 400V Ugs,max 20V Id,max 4.2A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 33/90 Ciss 450 Rds,ohm 1.800 Caps TO-220 Производитель STE Применение ENHANCEMENT…

IRF453

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 150W Uds,max 450V Udg,max Ugs,max Id,max 12A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) - Ciss - Rds,ohm 0.5 Caps TO3 Аналоги: КП718Е1

BUZ45

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 500V Udg,max Ugs,max Id,max 9.6A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) - Ciss - Rds,ohm 0.6 Caps TO3 Производитель SEMELAB Применение Аналоги: IRF452; КП718А…

IRF350

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 150W Uds,max 400V Udg,max Ugs,max Id,max 14A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 35/170nS Ciss 2600pF Rds,ohm 0.4 Caps TO3 Производитель SEMELAB Применение Аналоги:…

IRF710

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max Uds,max 400V Udg,max Ugs,max Id,max 2A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm 3.600 Caps N/A Производитель INTERSIL Применение Power MOSFET

BUZ90

Тип FET транзистор  Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 75W Uds,max 600V Udg,max 600V Ugs,max ±20V Id,max 4.5A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 30/150nS Ciss 1050pF Rds,ohm 1.6 Caps TO220AB Производитель SIEMENS Применение…

IRF640

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 200V Udg,max 200V Ugs,max 20V Id,max 18A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 30/105 Ciss 2100 Rds,ohm 0.180 Caps TO-220 Производитель STE Применение…

IRF620

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 70W Uds,max 200V Udg,max 200V Ugs,max 20V Id,max 5A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 45/100 Ciss 600 Rds,ohm 0.800 Caps TO-220 Производитель STE Применение ENHANCEMENT…

IRF612

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 43W Uds,max 200V Udg,max Ugs,max - Id,max 2.6A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 38/34nS Ciss - Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: MTP2N18,…

IRF611

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 43W Uds,max 150V Udg,max Ugs,max - Id,max 3.3A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 38/34nS Ciss - Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG