Просмотр архива категории
Эл.компоненты
Тип FET транзистор
Технология FET
Palarity N-Channel
Pd,max
Uds,max 20V
Udg,max 2.2V
Ugs,max
Id,max 12mA
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 6mS
Ciss 0.5pF
Rds,ohm
Caps TO-92
Производитель PHILIPS
Применение RF stages FM radios, mains…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 150W
Uds,max 400V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 14A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 35/170nS
Ciss 2600pF
Rds,ohm 0.4
Caps TO3
Производитель SEMELAB
Применение
Аналоги:…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 400V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 10A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 25/79nS
Ciss 1400pF
Rds,ohm 0.63
Caps TO220SM
Производитель SEMELAB
Применение
Аналоги:…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 150W
Uds,max 200V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 30A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 35/170nS
Ciss -
Rds,ohm 0.09
Caps TO3
Производитель SEMELAB
Применение
Аналоги:…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 200V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 18A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 20/58nS
Ciss -
Rds,ohm 0.21
Caps TO3
Производитель SEMELAB
Применение
Аналоги:…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 150W
Uds,max 100V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 38A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 65/190nS
Ciss 3700pF
Rds,ohm 0.055
Caps TO3
Производитель SEMELAB
Применение
Аналоги:…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 50W
Uds,max 400V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 2.8A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) -
Ciss -
Rds,ohm 2.5
Caps TO220
Производитель SEMELAB
Применение
Аналоги: MTP2N40, IRF720,…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 50W
Uds,max 350V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 3.3A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) -
Ciss -
Rds,ohm 1.8
Caps TO220
Производитель SEMELAB
Применение
Аналоги:…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 75W
Uds,max 400V
Udg,max 400V
Ugs,max 20V
Id,max 4.2A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 33/90
Ciss 450
Rds,ohm 1.800
Caps TO-220
Производитель STE
Применение ENHANCEMENT…
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 200V
Udg,max
Ugs,max 4.5V
Id,max 17A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss
Rds,ohm 0.18
Caps TO-220AB
Производитель IRF
Применение
Аналоги: